%0 Journal Article
%T Ⅱ—Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量
%A 李标
%A 王善忠
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%I Science Press
%X 测量了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ、ＺｎＳｅ等的远红外反射光谱，拟合得到样品的载流子浓度、迁移率、电阻率等参数
%K Ⅱ－Ⅵ族半导体，远红外反射光谱，电学参数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=76DDD033259936E5EEA2BBA9D2AD9B7B&yid=5370399DC954B911&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=205BE674D84A456D&eid=A8DE7703CC9E390F&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=3