%0 Journal Article
%T STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON LOW TEMPERATURE GaAs EPI-LAYER<br>低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究
%A WANG Xiao-Dong
%A WANG Hui
%A WANG Hai-Long
%A NIU Zhi-Chuan
%A FENG Song-Lin
%A <br>王晓东
%A 汪辉
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%I Science Press
%X 利用退火技术，实现了在低温ＧａＡｓ外延层上ＩｎＡｓ量子点的生长。透射电镜（ＴＥＭ）研究表明，低温ＧａＡｓ外延层上生长的ＩｎＡｓ量子点比通常生长的ＩｎＡｓ量子眯明显变小，且密度变大，认为是由于低温ＧａＡｓ中的点缺陷以及Ａｓ沉淀引起的：点缺陷释放了部分弹性能，使得量子点变小，而Ａｓ沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱（ＰＬ）上，退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高，且半高宽变窄。
%K InAs quantum dots
%K low temperature
%K GaAs
%K As precipitates<br>外延生长
%K 砷化镓
%K 砷化锢
%K 砷沉淀
%K 低温
%K 量子点
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=81AD3E9BFD27A68C&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=6425DAE0271BB751&eid=F1A8654ADB4E656E&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=2&reference_num=0