%0 Journal Article
%T INTERDIFFUSION IN Hg 1 x Cd x Te STRUCTURE DURING THERMAL ANNEALING<br>热处理过程中Hg1—xCdxTe／CdTe界面互扩散研究
%A WU Yang
%A YANG Jian
%A Rong
%A FANG Wei
%A Zheng
%A WANG Shan
%A Li
%A YU Mei
%A Fang
%A QIAO Yi
%A Ming
%A CHEN Xin
%A Qiang
%A HE Li
%A <br>巫艳
%A 杨建荣
%J 红外与毫米波学报
%D 1999
%I Science Press
%X 对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
%K HgCdTe heterojunction
%K thermal annealing
%K interdiffusion<br>HgCdTe异质结，热处理，互扩散
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=87ECCC09134348229BC9C566343082E3&yid=B914830F5B1D1078&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=89F76E117E9BDB76&eid=D767283A3B658885&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=2&reference_num=5