%0 Journal Article
%T NUMERICAL SIMULATION OF LONG WAVELENGTH PHOTOVOLTAIC HgCdTe PHOTODIODES<br>光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究
%A XU Xiang-Yan
%A LU Wei
%A CHEN Xiao-Shuang
%A XU Wen-Lan
%A <br>徐向晏
%A 陆卫
%A 陈效双
%A 徐文兰
%J 红外与毫米波学报
%D 2006
%I Science Press
%X 报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.
%K HgCdTe
%K long wavelength IR photodiodes
%K R_0A product
%K quantum efficiency
%K minority carrier lifetime<br>HgCdTe
%K 长波红外探测器
%K R0A积
%K 量子效率
%K 少子寿命
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=6913EA53E999854B&yid=37904DC365DD7266&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=4B1FFFA116F7AE3B&eid=80BD0A2EF8664214&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=2&reference_num=12