%0 Journal Article %T 256 ELEMENT InGaAs LINEAR IR FOCAL PLANE ARRAY AND SCANNING IMAGE
256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像 %A LV Yan-Qiu %A HAN Bing %A BAI Yun %A XU Meng %A TANG Heng-Jing %A KONG Ling-Cai %A LI Xue %A ZHANG Yong-Gang %A GONG Hai-Mei %A
吕衍秋 %A 韩冰 %A 白云 %A 徐萌 %A 唐恒敬 %A 孔令才 %A 李雪 %A 张永刚 %A 龚海梅 %J 红外与毫米波学报 %D 2008 %I Science Press %X 报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012 cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型Ⅰ-Ⅴ曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰. %K detector %K focal plane array %K InGaAs %K passivation %K scanning image
探测器 %K 焦平面 %K InGaAs %K 钝化 %K 扫描成像 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=8681AEBC9563E8838BDC6301675B0C25&yid=67289AFF6305E306&vid=DB817633AA4F79B9&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DF92D298D3FF1E6E&eid=708DD6B15D2464E8&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=7