%0 Journal Article
%T SURFACE COMPONENT CHANGE OF Hg0.8Cd0.2Te INDUCED BY HIGH POWER PULSED TEA-CO2 LASER<br>在TEA-CO2强激光脉冲作用下Hg0.8Cd0.2Te晶片表面的组分变化
%A CAI Hu
%A CHENG Zu-Hai
%A ZHU Hai-Hong
%A ZUO Du-Luo
%A <br>蔡虎
%A 程祖海
%A 朱海红
%A 左都罗
%J 红外与毫米波学报
%D 2006
%I Science Press
%X 利用场发射扫描电子显微镜对TEA-CO2强激光脉冲辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察,并利用电镜自带的能谱分析仪对其表面进行了成分分析.在单脉冲能量为1.91 J,峰值功率密度为2.63×107W/cm2的脉冲CO2激光辐照下,晶片表面呈现出熔融迹象,且晶片表面的化学组分比发生明显的变化.理论与实验研究结果表明:激光急速加热使晶体表面的Hg-Te键破坏,从而导致Hg损失,而Hg损失程度与热作用过程的时间有关.随着脉冲作用次数的增加,多脉冲的连续作用使Hg损失加剧,晶片表面成分变化更加突出.
%K HgCdTe
%K component change
%K laser irradiation
%K TEA-CO_2 pulse laser<br>碲镉汞
%K 组分变化
%K 激光辐照
%K TEA-CO2脉冲激光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=A3E2BC9C922B8BA3&yid=37904DC365DD7266&vid=C5154311167311FE&iid=38B194292C032A66&sid=31611641D4BB139F&eid=954CE65414DD94CA&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=9