%0 Journal Article
%T InGaAs PHOTOVOLTAIC DETECTORS GROWN WITH GAS SOURCE MBE<br>气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析
%A HAO Guo-Qiang
%A ZHANG Yong-Gang
%A GU Yi
%A LI Ai-Zhen
%A ZHU Cheng
%A <br>郝国强
%A 张永刚
%A 顾溢
%A 李爱珍
%A 朱诚
%J 红外与毫米波学报
%D 2006
%I Science Press
%X 从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.
%K optoelectronics
%K photodetectors
%K dark current analysis
%K temperature behavior
%K R_0A<br>光电子学
%K 光电探测器
%K 暗电流分析
%K 温度特性
%K 零偏压下微分电阻与面积乘积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=C37327F06A1C276F&yid=37904DC365DD7266&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=6A73B36E85DB0CE9&eid=E2E0FBFE4D7EFB94&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=3&reference_num=12