%0 Journal Article
%T SPICE MODEL FOR LDD STRUCTURE CMOS DEVICE AT 35K<br>35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型
%A LIU Wen-Yong
%A DING Rui-Jun
%A FENG Qi
%A <br>刘文永
%A 丁瑞军
%A 冯琪
%J 红外与毫米波学报
%D 2008
%I Science Press
%X 针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数提取后的Ⅰ-Ⅴ特性曲线与实测曲线十分吻合.最后,运用此模型对CMOS传输门和两级运算放大器进行仿真,结果表明LDD串联电阻效应对这些电路产生了重要影响,该模型明显提高了低温BSIM3v3的仿真精度.
%K BSIM3v3
%K CMOS<br>轻掺杂漏区
%K 串联电阻
%K SPICE模型
%K 低温
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=956D2A8B71657912A54B21D223D428FC&yid=67289AFF6305E306&vid=DB817633AA4F79B9&iid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=4