%0 Journal Article
%T Research on Origin and Essence of ZnO Varistor Interface States<br>ZnO压敏陶瓷界面态起源与本质的研究
%A MENG Ji-ke
%A LI Li
%A <br>孟继轲
%A 李莉
%J 红外与毫米波学报
%D 2008
%I Science Press
%X 以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质.分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N.的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用.因此,ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态.对界面态本质讨论的结果认为,应区分界面态密度N.及有效界面态密度ns,在做上述区分后,导电机理的解释及势垒高度Φb的计算将更趋于合理化.
%K ZnO压敏陶瓷
%K 肖特基势垒
%K 界面态
%K 非线性性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=A131BECEA2241CB89BF1FD6E21DE81A5&yid=67289AFF6305E306&vid=DB817633AA4F79B9&iid=94C357A881DFC066&sid=42425781F0B1C26E&eid=1371F55DA51B6E64&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=0