%0 Journal Article
%T PHOTOLUMINESCENCE OF Te ISOELECTRONIC CENTERS IN ZnS:Te UNDER HYDROSTATIC PRESSURE<br>静压下ZnS：Te中Te等电子陷阱的发光
%A FANG Zai-Li
%A SU Fu-Hai
%A MA Bao-Shan
%A DING Kun
%A HAN He-Xiang LI Guo-Hu
%A SOU I- K
%A GE Wei-Kun
%A <br>方再利
%A 苏付海
%A 马宝珊
%A 丁琨
%A 韩和相
%A 李国华
%A 苏萌强
%A 葛惟锟
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%I Science Press
%X 研究了4块ZnS：Te薄膜样品(Te组分从0．5％到3．1％)的光致发光谱在常压下的温度特性．对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰，分别来自Te1和Te2等电子陷阱；而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光．我们还研究了这些发光峰在低温1．5K下的流体静压压力行为．观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多，而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小．根据Koster-Slater模型，价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因，而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的．
%K 光致发光
%K 硫化锌
%K 碲掺杂
%K 碲等电子陷阱
%K 压力系数
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=B3C2BEE41141C75A&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=16D8618C6164A3ED&eid=ECE8E54D6034F642&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=2&reference_num=19