%0 Journal Article
%T DETERMINING THE BAND GAP OF GaxIn1-xAsy Sb1-yQUATERNARY ALLOY BY INFRARED ELLIPSOMETRIC SPECTROSCOPY<br>红外椭圆偏振光谱研究GaxIn1—xAsySb1—y材料的禁带宽度
%A LIANG Bang-Li
%A XIA Guan-Qun
%A HUANG Zhi-Ming
%A FAN Shu-Ping
%A CHU Jun-Hao
%A <br>梁帮立
%A 夏冠群
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%I Science Press
%X 采用红外椭辰我谱研究了与ＧａＳｂ衬底近晶格匹配的不同组分ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品的禁带宽度，并发现在组分ｘ＝０．２￣０．３之间禁带宽度随组分ｘ近似于线性变化。
%K GaxIn1-xAsySb1-y<br>半导体材料
%K 红外椭圆偏振光谱
%K 禁带宽度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=1FBF143B522B8746&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=847B14427F4BF76A&eid=6235172E4DDBA109&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=2