%0 Journal Article
%T Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性
%A 黄河
%A 童斐明
%A 汤定元
%J 红外与毫米波学报
%D 1988
%I Science Press
%X 测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应,进行了理论计算,高频情况下还考虑了少子在反型层中的再分布。对各种组份(x=0.2～0.56)的N型和P型Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件进行了变频(f=20～10MHz)和变温(T=26～200K)C-V测量。对于x=0.3的器件,测得其固定正电荷密度为8～10×10~(11)cm~(-2),80K下慢界面陷阱密度为4～10×10~(10)cm~(-2),最小界面态密度为1.7～2×10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=E7BAD27B477D70AE8573A6D6D9303B45&yid=0702FE8EC3581E51&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0