%0 Journal Article
%T MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE-MATCHED HgSe/ZnTe SUPERLATTICE<br>分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格
%A Peng Zhongling
%A Yuan Shixin
%A <br>彭中灵
%A 袁讨鑫
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%I Science Press
%X 提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。
%K molecular
%K beam epitaxy
%K superlattice
%K infrared materials<br>分子束外延
%K 红外材料
%K 超晶格半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=FE310C910A30B3E2E3F3813ACC68181C&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8E6AB9C3EBAAE921&eid=9FFCC7AF50CAEBF7&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=3