%0 Journal Article
%T Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运
%A 韦亚一
%A 彭正夫
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%I Science Press
%X 使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阱结构。在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化。在０．３～４．２Ｋ（＾３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻。观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡。根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中
%K 多量子阱
%K 磁量子输运
%K 砷化镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=F93DD369303672744FCB8D4341B570F3&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=42425781F0B1C26E&eid=BE33CC7147FEFCA4&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0