%0 Journal Article %T FABRICATION AND STUDY ON THE HgCdTe MIS DEVICE OF CdTe+ZnS DOUBLE INSULATOR FILMS
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究 %A 周咏东 %A 周咏东 %A 方家熊 %A 李言谨 %A 龚海梅 %A 吴小山 %A 靳秀芳 %A 汤定元 %J 红外与毫米波学报 %D 2001 %I Science Press %X 通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTeMIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求. %K ZnS
CdTe薄膜 %K HgCdTe红外焦平面 %K 器件表面钝化 %K ZnS. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=0BDA64CF45420F8C&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=E158A972A605785F&sid=D537C66B6404FE57&eid=10828928EB89AD8E&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=9