%0 Journal Article
%T FABRICATION AND STUDY ON THE HgCdTe MIS DEVICE OF CdTe+ZnS DOUBLE INSULATOR FILMS<br>Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
%A 周咏东
%A 周咏东
%A 方家熊
%A 李言谨
%A 龚海梅
%A 吴小山
%A 靳秀芳
%A 汤定元
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTeMIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.
%K ZnS<br>CdTe薄膜
%K HgCdTe红外焦平面
%K 器件表面钝化
%K ZnS.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=0BDA64CF45420F8C&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=E158A972A605785F&sid=D537C66B6404FE57&eid=10828928EB89AD8E&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=9