%0 Journal Article
%T MOCVD生长GaV的喇曼散射谱
%A 童玉珍
%A 张国义
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%I Science Press
%X 对在ＧａＡｓ、Ａｌ２Ｏ３和Ｓｉ等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到α相ＧａＮｌ模，Ａｌ模Ｅｌ模和Ｅ２模，结合射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相，完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段。
%K 喇曼散射
%K MOCVD
%K 氮化镓
%K 砷化镓
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=3F3633B23B6DD9452B93EDA71B6A4B28&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B31275AF3241DB2D&eid=F3090AE9B60B7ED1&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=1