%0 Journal Article
%T Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制
%A 高勇
%A 张翔九
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%I Science Press
%X 在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。
%K 光波导
%K 定向耦合器
%K 硅锗材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=0D14A5BFB670305FAC4BE0305698E3BA&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=27746BCEEE58E9DC&eid=42425781F0B1C26E&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=5