%0 Journal Article
%T 高电场下In0.53Ga0.47As／In0.52Al0.48As宽量子阱中11h激光电…
%A 冷静 Dimou.
%A A
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%I Science Press
%X 研究在外加电场０～５０ｋＶ／ｃｍ范围内，Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ａｓ／Ｉｎ０．５２ａｌ０．４８宽量子阱电透射光谱中１１ｈ激子跃迁的谱线宽度（ＦＷＨＭ）。它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽（高斯型）和由外场引起的均匀展宽（劳伦兹型）。用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积，再与实验光谱拟合。谱线总宽度Ｔ、高斯展宽成份ＴＧ及线性叠加系数η均作为拟合参数得到，从而可得劳伦兹展宽ＴＬ。将
%K 电场
%K 铟镓砷
%K 量子阱
%K 谱线宽度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=2B1DB2532F57424A8AE8CCBB06A81A22&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DB817633AA4F79B9&eid=9971A5E270697F23&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0