%0 Journal Article %T MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF 3-in HgCdTe WAFER
分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片 %A 陈路 %A 巫艳 %A 于梅芳 %A 吴俊 %A 乔怡敏 %A 杨建荣 %A 何力 %J 红外与毫米波学报 %D 2002 %I Science Press %X 报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖 %K HgCdTe
分子束外延 %K HgCdTe %K 均匀性 %K 缺陷 %K 焦平面. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=F523447F8F8CBFA9&yid=C3ACC247184A22C1&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D71B28100102720&eid=09ABD5535D9B6D45&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=11