%0 Journal Article
%T MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF 3-in HgCdTe WAFER<br>分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片
%A 陈路
%A 巫艳
%A 于梅芳
%A 吴俊
%A 乔怡敏
%A 杨建荣
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2002
%I Science Press
%X 报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖
%K HgCdTe<br>分子束外延
%K HgCdTe
%K 均匀性
%K 缺陷
%K 焦平面.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=F523447F8F8CBFA9&yid=C3ACC247184A22C1&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D71B28100102720&eid=09ABD5535D9B6D45&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=11