%0 Journal Article
%T CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES<br>高亮度InGaN基白光LED特性研究
%A LI Zhong Hui
%A DING Xiao Min YANG Zhi Jian YU Tong Jun ZHANG Guo Yi
%A <br>李忠辉
%A 丁晓民
%A 杨志坚
%A 于彤军
%A 张国义
%J 红外与毫米波学报
%D 2002
%I Science Press
%X 利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .
%K light source
%K InGaN
%K YAG
%K white
%K LEDs<br>光源、InGaN、YAG、白光LED
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=3194BA0BA62B9844&yid=C3ACC247184A22C1&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=A22854835F81B3F8&eid=5A735990D5DE8BF4&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=6&reference_num=8