%0 Journal Article
%T INDIUM DOPING ON MBE GROWN HgCdTe<br>HgCdTe分子束外延In掺杂研究
%A WU Yan
%A WANG Shan
%A Li
%A CHEN Lu
%A YU Mei
%A Fang
%A QIAO Yi
%A Min
%A HE Li
%A <br>巫艳
%A 王善力
%A 陈路
%A 于梅芳
%A 乔怡敏
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .
%K MBE
%K HgCdTe
%K In doping<br>分子束外延
%K HgCdTe
%K 掺杂
%K 铟
%K 红外焦平面阵列探测器
%K 材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=3029BC05FC75FEE3&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=38B194292C032A66&sid=0584DB487B4581F4&eid=4609832E4B5C797B&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=20