%0 Journal Article
%T Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的导带电子有效质量
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 1985
%I Science Press
%X 根据Hg_(1-x)Cd_xTe本征吸收光谱拟合计算获得的能带参数,利用Kane模型得到导带底电子有效质量的计算公式:(m_0~*/m_0)=0.05966E_g(E_g 1)/(E_g 0.667)。再根据(m~*/m_0)=(m_0~*/m_0)((1 8P~2K~2)/3E_g~2)~(1/2),可以计算波矢为k处的导带电子有效质量,计算结果与实验结果符合较好。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=2FABDE536DA9E5DCC5622BCD72F16F6B&yid=74E41645C164CD61&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=0