%0 Journal Article
%T 热处理硅中缺陷对室温光致发光的影响(详细摘要)
%A 宗祥福
%A 翁渝民
%A 高建荣
%A 邵玲
%J 红外与毫米波学报
%D 1985
%I Science Press
%X 用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光强度增强,热缺陷减少了非辐射复合中心。高于550℃时,光致发光强度减弱,热缺陷增加了非辐射复合中心。光致发光强度与热缺陷腐蚀斑密度有关。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=6AB63591ADD9FA0124C38AFFB324878D&yid=74E41645C164CD61&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0