%0 Journal Article
%T GaAs／AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收
%A 程兴奎
%A 黄柏标
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%I Science Press
%X 在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．
%K 多量子阱结构，电子干涉，红外吸收
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=76DDD033259936E5D0714F72B0F3F77C&yid=5370399DC954B911&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=5A6705FDACED0BF9&eid=5957D6E0A50D26B5&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0