%0 Journal Article
%T 自组织InAs／GaAs岛状结构生长停顿研究
%A 王志明
%A 王凤莲
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%I Science Press
%X 报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．
%K InAs／GaAs，量子点，生长停顿
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=76DDD033259936E50D99ED24416BE3D9&yid=5370399DC954B911&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=B66C5792F4740920&eid=302684F6FB4B24FF&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=1