%0 Journal Article
%T GeSi／Si应变结构内应力纵向分布
%A 肖剑飞
%A 封松林
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%I Science Press
%X 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究分子束外延ｎ－Ｇｅ０．２Ｓｉ０．８／Ｓｉ应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在ＥＣ＝０．４２ｅＶ，另一个随着偏压变化而发生明显的移动，深能级位置从ＥＣ＝０．２１ｅＶ变化到ＥＣ＝０．２７６ｅＶ，我们认为是内应力引起的．取该深能级的流体静压力系数γ＝６．５９ｍｅＶ／Ｋｂａ，求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好．在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法．
%K GeSi/Si，应变超晶格，内应力，深能级瞬态谱（DLTS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=76DDD033259936E554759CD1EE6D2182&yid=5370399DC954B911&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=86C0C9A759FDA8CA&eid=C6EC7357BCACD3A4&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=6