%0 Journal Article
%T GeSi／Si应变超晶格退火及离子注入研究
%A 肖剑飞
%A 封松林
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%I Science Press
%X 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格不适应做过多的热处理．同时测定Ｐｄ＋注入在ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格的杂质能级为ＥＣ＝０．２８ｅＶ，与体Ｓｉ中的Ｐｄ杂质能级一致．
%K GeSi／Si，应变超晶格，退火，离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=76DDD033259936E5A29A4BA4071359C8&yid=5370399DC954B911&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=4AD4BA66429F5627&eid=90612DF06FCE4D55&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=5