%0 Journal Article
%T EFFECT OF GAP STATES ON PHOTOCONDUCTIVITY OF GLOW DISCHARGED a-SiN_x:H FILMS<br>带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用
%A MA YURONG
%A <br>马玉蓉
%A 李清山
%J 红外与毫米波学报
%D 1991
%I Science Press
%X 研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。
%K photoconductivity
%K band gap states
%K band tail states
%K silicon (Si)<br>带隙态
%K 带尾态
%K 硅
%K 光电导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=D6CAB7F8BABA1CD5F151FC439A5D4861&yid=116CB34717B0B183&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BC12EA701C895178&eid=96C778EE049EE47D&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0