%0 Journal Article
%T 中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究
%A 祁明维
%A 施天生
%A 蔡培新
%A 白国仁
%A 谢雷呜
%A 高集金
%A 李石岭
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%I Science Press
%X 本文用傅里叶变换红外吸收低温(10K)光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm~(-1)吸收峰的精细结构。确定1839cm~(-1)与817cm~(-1)吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退火行为。对一些吸收峰的组态进行了讨论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=E60981ACCBDF24C25A49F3CDBA615EF0&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0