%0 Journal Article
%T 表面复合及背景辐射对0.1eVHgCdTe光导器件性能的影响
%A 黄建新
%A 汤定元
%A 方家熊
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%I Science Press
%X 讨论了影响0.1eVHgCdTe光导器件性能的因素,除考虑表面复合和背景辐射外,还考虑了器件不同厚度对其性能的影响,从过剩载流子的连续性方程,采用在厚度方向上载流子浓度取平均的方法,推导了量子效率的普遍表达式,求解了由带间俄歇过程所限制的少数载流子寿命、电子和空穴浓度以及量子效率间的自洽关系,讨论了器件的性能。得出结论:(1)当背景辐射通量φ_B>10~(16)cm~(-2)s~(-1)时,随着φ_B的增大,器件响应率R_λ、探测率D_λ及少
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=B51349D716116D0709111A0C33DE7C10&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0