%0 Journal Article
%T SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究
%A 冷静民
%A 钱佑华
%A 林成鲁
%A 方芳
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%I Science Press
%X 在电阻率为6～8Ω·cm的N型<100>硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5cm/s,衬底温度为550℃。在上述条件下,SOI薄层发生了熔化并再结晶的过程。在这一过程中,由于SiO_2绝缘层的热膨胀系数比硅小很多,因此SOI薄
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=4FDC2B50499A7D44EB6D5430BADD884E&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0