%0 Journal Article
%T STUDY ON InGaAs/InGaAsP/InP SAGM AVALANCHE PHOTODIODE<br>InGaAs／InGaAsP／InP长波长雪崩光电二极管研究
%A LI FENS
%A WANG SHUTANG
%A ZHENG JING
%A FAN AIXIANG
%A XIA CAIHONG
%A SUN JIE
%A Hu CHUNYANG
%A BAI JINHUA
%A CHEN XINMIN
%A <br>李锋
%A 王树堂
%J 红外与毫米波学报
%D 1991
%I Science Press
%X 研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。
%K avalanche multipliers
%K depletion layer
%K liquid phase epitaxial (LPE) growth
%K carrier concentration<br>光电二极管
%K 雪崩倍增管
%K 耗尽层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=F508CF37D2A21C059660183A828626A5&yid=116CB34717B0B183&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D71B28100102720&eid=AA76E167F386B6B3&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0