%0 Journal Article
%T GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱红外探测器的光调制光谱研究
%A 杨立新
%A 姜山
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%I Science Press
%X 运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数。结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符。
%K 光调制光谱
%K 多量子阱
%K 红外探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=2B1DB2532F57424AD0B6CB1A543D49D1&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=659D3B06EBF534A7&eid=96C778EE049EE47D&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=3