%0 Journal Article
%T In Sb MOS电容器高频C-V特性的测量及其界面态密度的推算
%A 谢伯兴
%A 林猷慎
%A 唐家钿
%J 红外与毫米波学报
%D 1985
%I Science Press
%X 本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其高频C-V特性,并采用中心偏压加窄摆幅电压的来回慢扫测得无滞回效应的C-V曲线。最后,用Nakagawa式算出界面态密度为2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=37CD9190FABE16DC861C3B9CEB4055EE&yid=74E41645C164CD61&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0