%0 Journal Article
%T HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容—电压谱研究
%A 邱岳明
%A 刘坤
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%I Science Press
%X 在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构。报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果。研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普遍ＭＩＳ器件的高频Ｃ－Ｖ曲线。
%K 超晶格
%K 分子束外延
%K MIS系统
%K 电容
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=2B1DB2532F57424A5DB56F2C1E676F89&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B9704B40A4225A24&eid=228A710F49B6CE58&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=2