%0 Journal Article
%T A STUDY OF INTERFACE ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR CdTe/ZnS PASSIVATION FILMS<br>CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究
%A Zhang Xinchang
%A Zhang Qinyao
%A Xu Zhen
%A <br>张新昌
%A 张勤耀
%A 徐震
%A 黄河
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%I Science Press
%X 利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．
%K HgCdTe
%K MIS
%K surface passivation
%K interface electrical characteristics<br>碲镉汞，MIS，表面钝化，界面电学特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=3F3633B23B6DD945D8B0825B4193EE31&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=84A93BA251D28205&eid=B941678158018439&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=1