%0 Journal Article
%T STUDY OF GSMBE GROWTH AND CHARACTERISTICS OF COMPRESSIVELY STRAINED In 0.63 Ga 0.37 As/InP QUANTUM WELLS<br>In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究
%A 王晓亮
%A 孙殿照
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%I Science Press
%X 用ＧＳＭＢＥ方法生长出了高质量的具有不同阱宽（ｌ～１１ｎｍ）的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变量子阱结构材料．通过双晶Ｘ射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的Ｉｎ组份．对材料进行了低温光致发光谱测试，确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量．半高宽数值表明，量子阱界面具有原子级的平整度．与７ｎｍ和９ｎｍ阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为４．５ｍｅＶ．
%K molecular beam epitaxy
%K In
%K x
%K Ga
%K 1-x
%K As/InP
%K quantum wells
%K photoluminescence<br>分子束外延，In0．63Ga0．37As／InP，量子阱，光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=76DDD033259936E50F62F462044C076E&yid=5370399DC954B911&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=9