%0 Journal Article
%T ACCURATE IN-SITU AUGER ANALYSIS OF MBE-GROWN Ge_xSi_(1-x)<br>分子束外延生长GexSi1—x的原位俄歇定量分析
%A Wei Xing
%A Zhou Tiecheng
%A Yang Xiaoping
%A Yu Mingren
%A Zhang Xiangjiu
%A Sheng Chi
%A Wang Xun
%A <br>卫星
%A 周铁城
%J 红外与毫米波学报
%D 1992
%I Science Press
%X 通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有效手段,相对误差在10%以内.讨论了Ge的偏析现象,在x>0的情况下Ge偏析不致于影响上述测量方法的准确性.
%K molecular beam epitaxy
%K Auger electron spectroscopy
%K atomic sensitivity factor
%K segregation<br>分子束外延
%K 俄歇电子谱
%K 硅化锗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=0F2BD5010086886945FEA099F9CC25C6&yid=F53A2717BDB04D52&vid=708DD6B15D2464E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=89F76E117E9BDB76&eid=D767283A3B658885&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=1