%0 Journal Article
%T MOCVD—Hg1—xCdxTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究
%A 杨建荣
%A 何进
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%I Science Press
%X 从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴＥ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算。结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量。计算结果还表明，外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响。运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析，发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制，并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜
%K 薄膜
%K 红外光谱
%K 碲镉汞
%K 红外材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=2B1DB2532F57424A93D0ECD603CC54A0&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=AC1578C6BB9EBDEF&eid=FEF02B4635FE8227&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=8