%0 Journal Article
%T PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTRA OF SHALLOW COMPLEX DONORS IN Cz-Si DOPED WITH NITROGEN<br>含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
%A HU CANMIN
%A HUANG YEXIAO
%A YE HONGJUAN
%A SHEN XUECHU
%A <br>胡灿明
%A 祁明维
%J 红外与毫米波学报
%D 1991
%I Science Press
%X 报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。
%K Cz-Si
%K nitrogen-oxygen complex shallow donors
%K photothermal ionization spectroscopy<br>直拉硅
%K 复合浅施主
%K 光热电离谱
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=CDC9DDB88205EA4EB57101344B8DB97E&yid=116CB34717B0B183&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=94C357A881DFC066&sid=170CE8B011EA4FD9&eid=717CC18E05F2AFA0&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=4