%0 Journal Article
%T HgCdTe材料费密能级随杂质浓度的变化
%A 郑雷
%A 胡燮荣
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%I Science Press
%X 分析了HgCdTe材料中杂质浓度与费密能级的关系。根据Kane三能带模型和费密-狄拉克统计,直接利用电中性条件n-P_1-P_-P_3=N计算了在不同杂质浓度下包括高浓度简并状态下的费密能级位置,式中n、P_1、P_2、P_3分别为电子、重空穴、轻空穴、自旋分裂价带空穴的浓度,N为电离的杂质浓度,在具体计算中假设杂质全部电离。最后讨论了Burstein-Moss效应及其在应用中的影响,由直接跃迁准动量守恒及Kane的非抛物性能带,计算了光电导响应截止波长对杂质浓度的依赖关系。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=7A9A1CE1B5499DD03DAE91D30666DA83&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0