%0 Journal Article
%T 不掺杂半绝缘GaAs的补偿机制
%A 周炳林
%A 吴征
%A 陈正秀
%A 胡冰华
%J 红外与毫米波学报
%D 1988
%I Science Press
%X 用红外局域模方法测定了8个不同的不掺杂半绝缘GaAs样品的含碳(C_(As))量,发现碳浓度均小于5.20×10~(14)cm~3。由1.1μm红外吸收测量和400K霍尔系数测量推算出样品的净受主浓度N_A-No,结果表明所有样品的净受主浓度均大于碳浓度,对于切自晶体下半部的样品,差别可达一个数量级。因此,这些受主必定是碳以外的其他杂质缺陷造成的,其中硼(B_(As))可能是主要因素。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=5C0FBBD34F1499F7C7B503DE5040E3DF&yid=0702FE8EC3581E51&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0