%0 Journal Article
%T P型HgCdTe材料的电学参数的确定
%A 萧继荣
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%I Science Press
%X 通常由饱和区的霍耳系数和电阻率计算P型HgCdTe样品的空穴浓度和迁移率: R=3π/8·1/ep, (1) σ=peμ_(ho) (2)对在液氮温度下工作的元件来说,77K的电学参数是很重要的。但是,在这一温度,有的样品还没有达到饱和,而是处于混合导电区,公式(1)、(2)不适用。弱场下的霍耳系数用R_0表示,零磁场下的电导率用σ表示,由一般的霍耳与电阻率测量,有
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=6E030D096F9F4E40&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0