%0 Journal Article
%T Hg_(1-x)Cd_xTe的纵向负磁阻研究
%A 郑国珍
%A 梁勇
%A 郭少令
%A 郑迎
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%I Science Press
%X 有关半导体的纵向负磁阻的现象在InSb等材料中有过研究,而对Hg_(1-x)Cd_xTe而言,所见的报道却很少。为了进一步评价材料的电学性质,探讨其散射机理,有必要对Hg_(1-x)Cd_xTe材料进行这方面的工作。我们对x=0.13～0.20的不同浓度的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在SdH区及量子极限区观察到了由电离杂质散射引起的纵向负磁阻,其特性表现如下:
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=D2BFC19B9DE72167&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0