%0 Journal Article
%T 简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 1985
%I Science Press
%X 本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77～300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=04A4D79285F79CEAFC0EF4A902F18890&yid=74E41645C164CD61&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0