%0 Journal Article %T TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE LINEAR THERMAL EXMNSION COEFFICIENT AND THE BAND GAP IN GERMANIUM AND GALLIUM ARSENIDE
Ge和GaAs线膨胀系数和能隙的温度关系 %A Lu Dong %A Wang Limin %A
陆栋 %A 王利民 %J 红外与毫米波学报 %D 1994 %I Science Press %X 用3个特征频率的爱因斯坦模型,以Gruneisen参数γi和约化的电子-声子耦合强度(g^2F)Wi为参数,较好地拟事子Ge和GaAs的线膨胀系数与能隙的温度关系的实验曲线,结果表明TA的声子的负的Gruneisen参数是引起低温区Ge和GaAs的线膨胀系数反常的原因,同时,Ge和GaAs的价带项状态的(g^2F)wi为正值,而导带底状态的相应量为负值。 %K Einstein model %K linear expansion coefficient %K Ge %K GaAs %K TA phonon
锗 %K 砷化镓 %K 能隙 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=54C26550CE261C6B4C9EAAC5ED96602D&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=DABEF202280E7EF1&eid=F1A8654ADB4E656E&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=2