%0 Journal Article
%T Analysis of Carrier Impact Ionization in Nonlinear Photoconductive Semiconductor Switch<br>非线性光电导开关载流子碰撞电离分析
%A WANG Xin-mei
%A SHI Wei
%A QU Guang-hui
%A HOU Lei
%A <br>王馨梅
%A 施卫
%A 屈光辉
%A 侯磊
%J 光子学报
%D 2008
%I 
%X 对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2 200 V的3.5 mm GaAs∶EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017 cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大.
%K Photoconductive semiconductor switch
%K Semiconducting gallium arsenide
%K Impact ionization
%K Lock-on
%K Continuity equation<br>光电半导体开关
%K 砷化镓
%K 碰撞电离
%K 锁定
%K 连续性方程
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=E7D9092CA9C221D704398907935B0565&yid=67289AFF6305E306&vid=42425781F0B1C26E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D1DB94C1649032D3&eid=3967641A4A35D81D&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=15