%0 Journal Article
%T Study on P-nc-Si:H Film as Complex Anode of Green Color Microcavity OLED<br>纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究
%A LI Yang
%A LIU Xing-yuan
%A WANG Yi
%A WU Chun-ya
%A MENG Zhi-guo
%A XIONG Shao-zhen
%A <br>李阳
%A 刘星元
%A 吴春亚
%A 孟志国
%A 王忆
%A 熊绍珍
%J 光子学报
%D 2009
%I 
%X 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15 nm、17 nm和21 nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126 nm窄化到33 nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47 130 cd/m2,最大发光效率为9.543 83 cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.
%K P-nc-Si:H thin film
%K Organic light emitting display
%K Microcavity<br>P型掺杂纳米硅薄膜
%K 聚合物有机电致发光器件
%K 微腔
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=16C247366C49F5E8363E5E3685689B83&yid=DE12191FBD62783C&vid=16D8618C6164A3ED&iid=E158A972A605785F&sid=FCB110411B6339D8&eid=92DE343A8428AA81&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=10