%0 Journal Article
%T HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响
%A 赵武
%A 张志勇
%A 闫军锋
%A 翟春雪
%A 邓周虎
%J 光子学报
%D 2009
%I 
%X 以甲烷、硅烷和氢气为反应气体，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜（SEM）分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响，当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时，薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400 nm左右减小到40 nm左右.
%K 纳米晶体
%K SiC薄膜
%K HFCVD
%K 氢气流量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=7212556F7871BB5EA909237A2495A0EC&yid=DE12191FBD62783C&vid=16D8618C6164A3ED&iid=E158A972A605785F&sid=CE504F5B1E192581&eid=4C69616AE50D2DDC&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=1