%0 Journal Article %T The Optical Properties of AIN Film
氮化铝薄膜的光学性能 %A Zhaoyan Fan %A Yan Guojun %A Chen Guangde %A Qiu Fusheng %A Zhaoyan Fan %A
颜国君 %A 陈光德 %A 邱复生 %A Zhaoyan %A Fan %J 光子学报 %D 2006 %I %X 分别使用X衍射仪和紫外(190nm~800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k~293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致. %K AIN film %K Transmittance spectrum %K Absorption spectrum %K The direct-band-gap energy %K Free exciton
AIN薄膜 %K 透射谱 %K 吸收谱 %K 禁带带宽 %K 自由激子 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=73AB3361962EB4EA&yid=37904DC365DD7266&vid=6209D9E8050195F5&iid=0B39A22176CE99FB&sid=78F0EFE028BD3783&eid=E089FDF3CDAE8561&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=4&reference_num=21